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      銦鎵砷 InGaAs 光電二極管模塊 800-1600nm ( PD/APD/TIA IRPD5521Y 型)  

      筱曉光子庫存備有各種有效面積和封裝的PIN結二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。

      我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內具有高響應率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長范圍從400到1700 nm。

      為了豐富我們的光電二極管產品線,我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用,探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應,從而扭曲光電二極管的時域響應。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。

      華北西南東北華中 Hongyu Chen 13124873453 同微信,可掃碼

       
      hongyu.chen@microphotons.com

      綜合技術咨詢 Deyan Pan 17612171289 同微信,可掃碼

       
      deyan.pan@microphotons.com

      華東西北華南 Daisy Lee 18602170419 同微信,可掃碼

       
      daisy@microphotons.com



      產品型號
      縱向   橫向
      型號 貨號 操作 名稱
      IRPD5521Y-1.25-P-T-PG E80040035 IRPD5521Y 型 InGaAs 光電二極管模塊( PD/APD/TIA 光譜響應 800-1600nm)   [PDF] 光譜響應范圍 800-1600nm,速度 1.25Gbps,帶TIA,5Pin腳 價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
      現貨
      復制內容純文本
      產品特點

      ● 傳輸速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps

      ● 高靈敏度

      ● 工作波長范圍:1260~1650nm

      ● 單電源供電

      ● 遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE標準

      ● RoHS認證RoHS compliant

      技術參數

      參數名稱

      符號

      測試條件

      最小

      典型Typ.

      最大

      單位

      TIA工作電流

      ICC

      Vcc=3.3V

      -

      44

      59

      mA

      反向擊穿電壓1)

      VBR

      ID=100μA

      35

      -

      55

      V

      VBR溫度系數

      σ

      γ= dVBR/dTC

      -

      0.1

      0.15

      V/℃

      差分跨阻

      IRPD5521Y-155

      IRPD5521Y-1.25

      IRPD5521Y-2.5

       

       

      ZT

       

      Pin=-30dBm, RL=100Ω,

       

      54

      26

      3.6

      -3dB帶寬

      IRPD5521Y-155

      IRPD5521Y-1.25

      IRPD5521Y-2.5

       

       

      f-3dB

       

       

      Pin=-30dBm

      100

      1000

      2000

      MHz

      響應度

      Re

      M=1 , λ = 1.55μm

      0.85

      0.95

      -

      A/W

      輸出阻抗

      ZO

      Single ended

      -

      50

      70

      Ω

      靈敏度

      IRPD5521Y-155A

      IRPD5521Y-155P

      IRPD5521Y-1.25A

      IRPD5521Y-1.25P

      IRPD5521Y-2.5A

      IRPD5521Y-2.5P

      PS

       

      λ=1.55μm,NRZ, PRBS=223–1, BER=10-10,

      ER=10dB,

      V=Vop

      -47 -39 -35 -28 -34 -26

      dBm

      過載功率

      APD

      PIN

       

      PMAX

       

      -5

      +3

      -

      -

      dBm

      光回損

      Lo

      λ = 1.55μm

      -

      -

      -30

      dB

      備注:1)僅適用于APD探測器


      最大絕對額定值 T=25deg

      參數名稱

      符號

      額定值

      單位

      TIA電源電壓

      VCC

      5

      V

      APD反向電壓APD

      VAPD

      VBR

      V

      APD/PD反向電流

      Ir

      2

      mA

      APD/PD正向電流

      If

      2

      mA

      工作溫度范圍

      TC

      -40 ~ +85

      貯存溫度范圍

      TSTG

      -55 ~ +100

      通用參數

      fz.png

      引腳定義

      yj.png

      引腳編號

      引腳功能說明

      引出端符號

      1

      信號正輸出端

      Vout+

      2

      放大器電源

      VCC

      3

      偏置電壓

      VAPD

      4

      信號負輸出端

      Vout-

      5

      接地

      GND (case)


      yj1.png


      引腳編號

      引腳功能說明

      引出端符號

      1

      信號正輸出端

      Vout+

      2

      信號負輸出端

      Vout

      3

      接地

      -GND   (case)

      4

      放大器電源

      VCC


      注意事項

      a.嚴格按照引腳說明連接,輸出AC耦合時,差分負載應為100Ω

      b. 貯運、使用過程中必須采取適當的靜電防護措施。

      c.器件屬于高電壓工作器件,使用時應采取適當的設計和措施避免人體受到傷害。

      產品應用

      ● 無源光網絡與SDH/SONET傳輸系統

      ● 吉比特以太網與光纖信道

      ● 其它應用Other application

      訂購信息

      型號: IRPD5521Y-□□□□-☆-T-XX 

      速率□□□□:

      0155:155Mbps

      1.25:1.25Gbps

      2.5:2.5Gbps

      探測器類型☆:

      A: APD

      P: PD

      T: TIA

      封裝XX:

      PG:尾纖

      TO:TO封裝










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