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      銦鎵砷 InGaAs MP6514S型單光子陣列探測器組件 950~1650nm  

      MP6514S型探測器組件由4x4陣列規格InGaAs單光子雪崩光電二極管(SPAD)芯片、CMOS主被動淬滅電路芯片倒焊互連而成的探測器模塊與電壓逆變模塊、制冷模塊、信號控制模塊組成。在蓋革工作模式下,探測器組件各像元獨立、自由運行,探測0.95 ~ 1.65 μ m的近紅外波段范圍內微弱光信號,實時輸出TTL電信號。

      華北西南東北華中 Hongyu Chen 13124873453 同微信,可掃碼

       
      hongyu.chen@microphotons.com

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      deyan.pan@microphotons.com

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      產品型號
      縱向   橫向
      型號 貨號 操作 名稱
      MP6514S E80040036 InGaAs單光子陣列探測器組件 950~1650nm   [PDF] 器件類型 InGaAs APD;工作波長 950~1650nm;陣列規模 4x4;像元大小 100μm x 100μm;光敏面大小 85μm x 85μm;石英光窗;探測效率 ≥10% (1.57+0.05μm) 8-10周
      復制內容純文本
      產品特點

      ●光譜響應波段0.95 ~ 1.65μm  

      ●采用金屬封裝,器件質輕靈巧 

      ●像元獨立、自由運行 

      ●像元可探測弱光子信號 

      ●死時間、蓋革雪崩信號檢測閾值可調 

      技術參數

      探測器面陣規格


      性能描述

      器件類型

      InGaAs APD

      陣列規模

      4x4

      像元大小

      100μm x 100μm

      光敏面大小[1]

      85μm x 85μm

      光窗

      石英光窗

      感光靶面至光窗外表面間距

      4mm (光窗厚度為1mm )

      注[1]:單片集成微透鏡焦距150μm。


      主要性能指標(Tc=22+3℃)

      特性參數

      參數指標

      工作波長[1]

      0.95 ~ 1.65μm

      探測效率

      ≥10% ( 1.57   +0.05μm)

      暗計數率

      ≤10KHz

      時間抖動

      ≤500ps

      死時間

      100 ~ 1000ns可調

      有效像元率

      100%

      注[1]:在工作波長范圍內選配標準窄帶濾光片。

      絕對最大額定值

      參數

      額定值

      單位

      工作溫度范圍Tc

      -40~+55

      °C

      貯存溫度范圍TSTG

      -40~+70

      °C

      最大功耗P

      15

      W

      輸入偏置范圍VR

      4.95.5

      V

      靜電放電敏感度ESD

      1000~2000

      V

      質量可靠性保證

      ● 產品執行GJB8121-2013《半導體光電組件通用規范》相關要求。

      通用參數

      封裝外形結構與尺寸(單位: mm )

      zj1.png

      zj2.png

      電學接口

      zj4.png

      ●電源輸入: +5V

      ●數據輸出類型: TTL

      ●控制命令接口: J63A-31

      ●電源輸入接口類型: J30J

      ●數據輸出接口類型: J63A-31

      ●外觸發接口: SSMA

      接口編號

      功能

      1

      SSMA-1:內同步信號輸出

      2

      SSMA-2:外同步信號輸入

      3

      J63A-31:輸出信號端口及探測器工作設置輸入信號端口

      4

      J30J: +5V單電源供電

      產品應用

      ●透霧、霾、煙塵等測距

      ●近紅外激光告警

      ●遠距離激光測距

      ●遠距離空間激光通信










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