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      銦鎵砷InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型) 0.9-1.7μm  

      InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求,實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。

      華北西南東北華中 Hongyu Chen 13124873453 同微信,可掃碼

       
      hongyu.chen@microphotons.com

      綜合技術咨詢 Deyan Pan 17612171289 同微信,可掃碼

       
      deyan.pan@microphotons.com

      華東西北華南 Daisy Lee 18602170419 同微信,可掃碼

       
      daisy@microphotons.com



      產品型號
      縱向   橫向
      型號 貨號 操作 名稱
      IGA-APD-GM104-R E80042038 InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)   [PDF] 光譜響應范圍0.9~1.7μm;響應度 @1550nm: 0.85 A/W; 3針TO46 封裝;SMF-28E 光纖耦合;FC/APC, 不帶 TCE 價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
      3-4 周
      復制內容純文本
      產品特點

      ● 光譜響應范圍0.9~1.7μm 

      ● 高探測效率、低暗計數率 

      ● 3 pin TO46

      技術參數

      線性模式參數

      產品型號

      IGA-APD-GM104-R

      參數

      符號

      單位

      測試條件

      最小

      典型

      最大

      反向擊穿電壓

      VBR

      V

      22±3 ,ID =10μA

      60

      80

      90

      響應度

      Re

      A/W

      22±3 ,λ =1550nm ,M =1

      0.8

      0.85


      暗電流

      ID

      nA

      22±3 ,M =10


      0.1

      0.3

      電容

      C

      pF

      22±3 ,M =10, f=1MHz



      0.25

      擊穿電壓溫度 系數

      η

      V/K

      -40 ~80℃,ID =10μA



      0.15


      蓋革模式參數


      參數

      單位

      測試條件

      最小

      典型

      最大

      單光子探測效 PDE

      %

      -45 ,λ =1550nm, 0.1ph/pulse

      泊松分布單光子源

      20



      暗計數率DCR

      kHz

      -45 ,1ns門寬, 2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



       

      20*

      后脈沖概率 APP


      -45 ,1ns門寬, 2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



       

      1× 10-3

      時間抖動Tj

      ps

      -45 ,1ns ,2MHz門控重頻,PDE=20%



      100

      * 可提供不同等級規格產品

      尺寸規格

      TO46 (尾纖封裝)

      APD1.png

      產品應用

      ● 弱光探測

      ● 量子保密通信 

      ● 生物醫療










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