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      CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器  

      CITLF3 是一種硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器,用于射電天文學和量子物理應用。當冷卻至 12K 或更低時,該放大器在 0.01GHZ 至 4GHz 的頻率范圍內實現了 4K (0.06dB) 的平均噪聲溫度。100 MHz 時的最低噪聲溫度為 2.5K。典型增益為 33dB,輸入/輸出回波損耗小于 -10dB。放大器是無條件穩定的。雖然放大器最適合 0.01 GHz 至 4 GHz 的頻率范圍,但該放大器可用于 3 MHz 至 5 GHz。 該放大器由單個正直流電源供電,最佳電壓為 2.0 V。此偏置下的功耗為 27 mW。然而,在低至 5 mW 的功耗下可以接收到良好的噪聲溫度。低功耗非常適合以 4K 運行的多放大器陣列。 放大器為 20.7 mm x 15.9 mm x 8.7 mm,不包括連接器。輸入和輸出母頭 SMA 連接器。包含多型號

      CITLF1 CMTLF1S CITLF2 CITLF4 CITCRYO1-12D CIT1-18 CITCRYO4-12A CITCRYO4-12B CIT4-16

      華北西南東北華中 Hongyu Chen 13124873453 同微信,可掃碼

       
      hongyu.chen@microphotons.com

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      deyan.pan@microphotons.com

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      產品型號
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      型號 貨號 操作 名稱
      CITLF3 B80020203 CITLF3 硅鍺 (SiGe) 低噪聲低溫放大器   [PDF] 價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
      8-10周
      復制內容純文本
      通用參數

      主要特點

      非常低的噪聲,在 10 MHz 至 4 GHz 范圍內平均為 4K。

      由單個正直流電源供電。

      以低至 5 mW 的直流功率提供可用增益和噪聲。

      2 針 Winchester DC 連接器。

      可選的直流偏置三通。

      可選輸入保護二極管。

      尺寸 2.07 厘米 x 1.59 厘米 x 0.87 厘米。


      性能特點@12K

      射頻頻率 0.01 至 4.0GHz

      獲得

      35dB±3dB

      噪音溫度<4K

      噪聲系數<0.06dB

      最佳直流電源

      Vd=2.0V

      ID=13.6mA



      12 K時的電氣規格

      Description

      Typical

      Minimum

      Maximum

      RF Frequency

      射頻頻率

      .03-5 GHz

      0.01 GHz

      4 GHz

      Gain

      33 dB

      33 dB ± 3 dB

      Noise Temperature

      噪聲溫度

      < 4 K

      2.5 K

      4 K

      IRL (-20log|S11|)

      -12 dB

      < -10 dB

      ORL (-20log|S22|)

      -15 dB

      < -10 dB

      DC Voltage

      直流電壓

      2.0 V

      1.2 V

      3 V

      DC Current

      13.6 mA

      2.7 mA

      27.4 mA


      300 K時的電氣規格

      Description

      Typical

      Minimum

      Maximum

      RF Frequency

      .03-5 GHz

      0.01 GHz

      4 GHz

      Gain

      30 dB

      30 dB ± 5 dB

      Noise Temperature

      < 60K

      40 K

      74 K

      IRL (-20log|S11|)

      -10 dB

      < -10 dB

      ORL (-20log|S22|)

      -15 dB

      < -10 dB

      DC Voltage

      2.0 V

      1.2 V

      3 V

      DC Current

      14.6 mA

      5.4 mA

      27 mA



      典型測試結果–12 K時的最佳直流偏壓







      典型測試結果–12 K時的直流偏壓掃描







      典型測試結果–12 K時的低頻噪聲




      典型測試結果–12 K時的低頻S參數




      典型測試結果–12 K時的直流偏壓掃描





      CAD外殼圖紙













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