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      850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器  

      我們的單模VCSEL旨在滿足廣泛的光學傳感應用的嚴格規范。該產品提供偏振穩定的單模發射,具有對稱的高斯光束輪廓,輸出功率通常為1mW。偏置電流范圍為3至6mA。


      綜合技術咨詢 Deyan Pan 17612171289 同微信,可掃碼

       
      deyan.pan@microphotons.com

      華東西北華南 Daisy Lee 18602170419 同微信,可掃碼

       
      daisy@microphotons.com

      華北西南東北華中 Hongyu Chen 13124873453 同微信,可掃碼

       
      hongyu.chen@microphotons.com



      產品型號
      縱向   橫向
      型號 貨號 操作 名稱
      APA8501010001 I80010001 850nm偏振鎖定單模VCSEL芯片激光器   [PDF] 中心波長:850nm; 輸出功率:0.9mw 邊模抑制比:10dB 價格 : 請聯系客服 庫存:請咨詢客服
      8-10周
      復制內容純文本
      通用參數

      產品特點:

      單橫模和單縱模

      偏振穩定發射

      低功耗

      高可靠性

      高斯光束分布

      背面陰極和頂部陽極配置

      通過RoHS認證

       

      產品應用:

      激光鼠標

      光學傳感器應用

      光電編碼器

       

      光電特性:

      操作條件: Top= 5°- 45℃; Iop=const., set at 25℃  so that Pop=0.55mW

       

      參數

      符號

      最小

      典型

      最大

      單位

      備注

      閾值電流

      ITH

      1

      3

      5

      mA

      T = 25°C

      斜率效率

      η

      0.20

      0.40

      0.65

      mW/mA

      T = 25°C, I = Ith+1mA

      工作電流

      IOP

      2.3


      6

      mA

      T = 25°C, Pop=0.55mW

      工作電壓

      UOP



      2.3

      V

      工作條件

      微分電阻

      Rd

      20


      90

      ?

      T = 25°C,   Pop=0.55mW

      SM光輸出功率

      PSM

      0.9



      mW

      T = 25°C

      邊模抑制比

      SMSR

      10



      dB

      T = 25°C, Pop=0.9mW

      偏振方向的精度

      δpo

      -15


      +15

      deg

      T = 25°C, Pop=0.2...0.9mW

      發射波長

      λpeak

      840

      850

      860

      nm

      工作條件

      光束發散性

      θFW1/e2

      13

      17

      21

      deg

      T = 25°C, Pop=0.5mW

      光功率隨溫度的變化

      P(T) – Pop

      -200


      +120

      μW

      Iop, T=5...45°C

      SM=單個模式;FW1/e2=全寬1/e2

       

      絕對最大額定參數

      參數

      最大值

      單位

      備注

      連續工作電流

      8

      mA

      3

      連續反向電壓

      8

      V


      PCB焊料或回流溫度

      260

      °C

      最多10秒

       

      封裝尺寸:芯片尺寸

      參數

      最小

      典型

      最大

      備注

      芯片寬度

      135

      155

      175

      μm

      芯片長度

      135

      155

      175

      μm

      芯片厚度

      135

      150

      165

      μm

       











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