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      • 2021-01-13   型號:VCSEL-20-M   貨號:A80170003

        激光驅動電流 20mA;激光管驅動電壓最大值 4V;臺式;DB9輸出接口
        筱曉光子的VCSEL 激光驅動器,采用全鋁制外殼,具有優異的散熱性能和外殼強度,以保證長期地穩定可靠運行。2.4 寸 OLED 顯示屏,字體大而清晰。內置低噪聲可調恒流驅動和TEC控制。我們自己研發設計的VCSEL驅動底座,可以使激光器的引腳方便的插入,便于測試。軟件控制操作,也可以外加調制信號。我們也可以根據激光器引腳定義進行定制。 技術指標參數工作電壓220VAC電源頻率50Hz功率(Max)6W激光管驅動電壓最大值4V最高激光器控制溫度50.0℃最低激光器控制溫度5.0℃TEC 驅動電流(低)0.13ATEC 驅動電流(高)0.3A激光驅動電流0-20mA調制電壓0-15V調制頻率300k備注: 輸出接口DB9軟件界面1550nm VCSEL
      • 2021-09-16   型號:VCSEL-894.6-0.3   貨號:A80040028

        正向電流 VF 典型值 1.78 V 輸出功率 Φ 典型值 0.3 mW 閾值電流 Ith 典型值 0.61 mA 斜率效能 SE 典型值 0.37 W / A 單模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波長 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 894.1 nm 894.6 nm 895.1 nm
        垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。 應用原子鐘磁力計特點:包裝: 裸片芯片工藝: GaAs 垂直腔面發射激光器激光波長: 894.6 nm輻射剖面: 單模ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)最大額定值Ta = 80°C 參數符號值操作/焊接溫度DC = 100%TS最小值最大值-20°C110°C儲存溫度Tstg最小值最大值-40°C125°C正向電流(...
      • 2021-09-16   型號:VCSEL-795-0.13   貨號:A80040029

        正向電流 VF 典型值 1.8 V 輸出功率 Φ 典型值 0.13 mW 閾值電流 Ith 典型值 0.75 mA 斜率效能 SE 典型值 0.21 W / A 單模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波長 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 794.5 nm 795 nm 795.5 nm
        垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。Die; 2222; 795; S; 1M; S5, S6, S7; 0.13mW; 0.16X0.20 應用原子鐘磁力計特點:包裝: 裸片芯片工藝: GaAs 垂直腔面發射激光器激光波長: 795 nm輻射剖面: 單模ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)最大額定值Ta = 80°C 參數符號值操作/焊接溫度DC = 100%TS最小值最大值-20°C110°C儲存溫度Tstg最小值最大值-40°C125°C正向電流(保...
      • 2019-10-11   型號:PL-VCSEL-0850-1-1-PA-14BF   貨號:A80040014

        中心波長 850nm;波長偏差 ±10nm; 輸出功率 >0.1mw;14pin蝶形封裝;保偏輸出
        LD-PD INC借經過優化的光學特性,850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制,同時具有線性偏振穩定性。 電學參數參數符號l測試條件最小典型最大單位光功率PowerPP—0.1——mW閾值電流ITHCW,TL =25℃135mA驅動電流IOpPO =0.1mW—58mA激光器正向電壓VLFPO =0.1mW——2.3V光電效率ηCW,TL =25℃0.20.40.65mW/mA激光器TEC控制溫度(環境溫度25℃)TLD—15—35℃熱敏電阻電流ITC—10—100μA熱敏電阻阻抗RTHTL =25...
      • 2021-03-11   型號:PL-VCSEL-1654nm-3-SA   貨號:A80040024

        中心波長 1654nm;輸出功率 2mW;光纖類型 SMF-28e;接頭 FC/APC
        筱曉光子的新款1654nm VCSEL激光器中應用了最新發明的高對比度光柵層(HCG),HCG比傳統的分布布拉格反射鏡(DBR)薄約50倍,但具有更高的反射率和更寬的光譜寬度。我們的這款激光器具有高達8nm的調諧范圍,調諧頻率可達100kHz,是測試CH4氣體的理想選擇。 參數符號數值單位最小典型最大光輸出峰值功率@25oP-63dBm操作電流Iop01825mA操作TEC溫度范圍Top52035℃閾值電流Ith1416mA激光器驅動器的電壓Vcc01.52.5V電阻Rs20Ω中心波長λ1654nm調諧范圍Δλ48nm保證開始波長at 25°C,Iop   and Vtune=0V1654nm保證終止波長at 25°C,Iop and Vtune=max1653nm最大...
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      • 筱曉光子的VCSEL 激光驅動器,采用全鋁制外殼,具有優異的散熱性能和外殼強度,以保證長期地穩定可靠運行。2.4 寸 OLED 顯示屏,字體大而清晰。內置低噪聲可調恒流驅動和TEC控制。我們自己研發設計的VCSEL驅動底座,可以使激光器的引腳方便的插入,便于測試。軟件控制操作,也可以外加調制信號。我們也可以根據激光器引腳定義進行定制。

      • Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。

      • 憑借經過優化的光學特性,760nm-2004nm 單模DFB成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制,同時具有線性偏振穩定性。激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存760nm DFB用于TDLAS氧氣檢測,1512nm DFB用于TDLAS氨氣檢測,795nm VCSEL用于Rb原子鐘實驗,852nm VCSEL用于CS原子冷卻,2004nm DFB用于TDLAS二氧化碳氣體檢測。

      • Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。

      • Philips借經過優化的光學特性,850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制,同時具有線性偏振穩定性。

      • LD-PD INC借經過優化的光學特性,850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。創新型芯片設計已對高階縱向與橫向模式加以抑制,同時具有線性偏振穩定性。

      • Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內科研客戶青睞。目前我們現有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。

      • 垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。它具有較小的遠場發散角,發散角光束窄且圓;并且閾值電流低,調制頻率高,能達到300KHz。通過改變激光電流跟溫度可以實現波長調諧。內置TEC和PD的包裝,它專為高速光纖通信而設計。

      • 筱曉光子的新款1654nm VCSEL激光器中應用了新發明的高對比度光柵層(HCG),HCG比傳統的分布布拉格反射鏡(DBR)薄約50倍,但具有更高的反射率和更寬的光譜寬度。我們的這款激光器具有高達8nm的調諧范圍,調諧頻率可達100kHz,是測試CH4氣體的理想選擇。

      • 半導體激光器又稱激光二極管,是用半導體材料作為工作物質的激光器。由于物質結構上的差異,不同種類產生激光的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。 半導體激光器件,可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。同質結激光器和單異質結激光器在室溫時多為脈沖器件,而雙異質結激光器室溫時可實現連續工作。半導體二極管激光器是最實用最重要的一類激光器。它體積小、壽命長,并可采用簡單的注入電流的方式來泵浦,其工作電壓和電流與集成電路兼容,因而可與之單片集成。并且還可以用高達GHz的頻率直接進行電流調制以獲得高速調制的激光輸出。由于這些優點,半導體二極管激光器在激光通信、光存儲、光陀螺、激光打印、測距以及雷達等方面得到了廣泛的應用。我們有如下類型的半導體激光器FP激光器  VCSEL激光器  QCL激光器  DFB激光器  ICL激光器  DBR激光器 

      • 圓錐形透鏡光纖,因為擴大了數值孔徑,增加了收集光的能力,所以十分適用于與輸出光束截面為圓形或者近似圓形的LD,DFB,SLD激光器或者VCSEL等的耦合。

      • 850 nm 單模 VCSEL 成為高要求傳感系統應用的理想選擇。VCSEL 是一款垂直發射 MOVPE 生長的 GaAsP/AlGaAs 單模二極管激光器。 波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。

      • VCSEL 是一款垂直發射 MOVPE 生長的 GaAsP/AlGaAs 單模二極管激光器。 波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。內置TEC和熱敏電阻。

      • 我們的單模VCSEL旨在滿足廣泛的光學傳感應用的嚴格規范。該產品提供偏振穩定的單模發射,具有對稱的高斯光束輪廓,輸出功率通常為1mW。偏置電流范圍為3至6mA。

      • PL-VCSEL-1550-0-A81-CPSA 1550nm VCSEL是一種垂直發射MOVPE生長的GaAsP/AlGaAs單模二極管激光器。波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。內置TEC和PD。我們的1550 nm單模VCSEL設計用于高速、高性能通信應用。

      • 1310 nm垂直腔面發射激光器(VCSEL)封裝在帶有單模光纖尾纖的緊湊同軸外殼中。VCSEL-1310-SM設計用于光纖傳感、激光發射器和光通信應用。它需要非常低的驅動電流,并且可以通過內置TEC實現溫度穩定。

      •  1550nm VCSEL是一種垂直發射MOVPE生長的GaAsP/AlGaAs單模二極管激光器。波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。內置TEC和PD。

      • PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直發射 MOVPE 生長的 GaAsP/AlGaAs 單模二極管激光器。 波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。內置TEC和熱敏電阻。我們的 850 nm 單模 VCSEL 專為高速、高性能通信應用而設計。

      • 用于激光束輪廓分析的新型創新計量 1 英寸大探測器,20 MP,2.4 x 2.4 微米像素大小 激光束和 VCSEL 陣列的平行測量 從深紫外到 1350 nm 的大光譜范圍創新的 20 MP 大孔徑光束分析儀, 在 NIR 處具有更高的靈敏度,最高可達 1350 nm 用于多光束分析的多個活動區域 多功能 - 測量輪廓、功率和位置

      • 該掃描波長激光器采用專用VCSEL激光芯片,可實現激光波長的高速掃描,單模光纖耦合輸出。專業設計的驅動與溫控電路控制保證激光器穩定工作,可提供臺式或模塊式封裝。

      • 垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。

      • 760nm單模垂直腔面發射激光器(VCSEL)具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性等優點,2nm調諧范圍,專為可調諧半導體激光吸收光譜(TDLAS)應用而設計,內置防靜電(ESD)保護.TO39封裝

      • PCI-FPGA-1A是一款采用PC/104版本、基于FPGA全數字設計的控制板,專業用于TDLAS技術可調諧半導體激光器的控制,集成了兼容InGaAs和InAs探測器的前置放大器,以及一個專業提取二次諧波信號的FPGA-based全數字檢波器,FPGA-based激光驅動器和波形發生器;激光功率和二次諧波信號輸出;利用壓力和溫度傳感器調節回路,使輸出同步到外部數據采集系統。PCI-FPGA-1A是一款采用PC/104版本、基于FPGA全數字設計的控制板,專業用于TDLAS技術可調諧半導體激光器的控制。

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      • 在常用的三種激光中,FP激光比DFB激光容易產生,但FP激光的光線較寬(>1nm),波長的溫度漂移也較大(0.5nm/℃), 因此不適用于高速和/或遠程應用。

      • 筱曉光子的PL-VCSEL-1550-1-A81 1550nm VCSEL激光器是一種垂直發射MOVPE生長的GaAsP/AlGaAs單模半導體激光器。芯片為TO56封裝。波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。內置TEC和PD。它是專為高速光纖通信而設計的。產品特點TO-56 7針小型封裝集成TEC(溫度穩定)CW光輸出功率:典型值1.6mW(溫度為20°C時)單模VCSEL寬調諧范圍:>8nm高調制帶寬(10 Gbps)快速波長調諧(~100 kHz)技術參數參數單位數值最小典型最大光輸出峰值功率@25oCmW11.6操作電流mA01825閾值電流mA812工作溫度℃-402585斜率效率(CW,Tc=25°C)mW/mA0.140.18激光驅動電壓V01.52.5中心波長(請指定中心波長)nm15251575保證調諧范圍nm810最大調諧響應kHz100200邊模抑制比dB3040TEC電壓V0.351.5TEC電流A0.050.6實驗測試不加外部調制(1)? 1550nmTOSA激光器連接LC-APC連接線,再把激光器插入驅動底座,連接驅動器。連接線的另一端連接光譜儀或功率計。(2) USB線連接電腦,打開驅動軟件.在軟件上設置,最大電流20mA,設置成inter內部調制,SET一下,設置成功(3) 設置電流,打開激光器。測試結果光譜圖功率曲線圖用信號發生.....

      • 垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。有源區有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個圓形出口,輸出激光。它具有較小的遠場發散角,發散角光束窄且圓;并且閾值電流低,調制頻率高,能達到300KHz。通過改變激光電流跟溫度可以實現波長調諧。內置TEC和PD的包裝,它專為高速光纖通信而設計。VCSEL激光器優勢7 Pin小尺寸非球面透鏡帽集成TEC控制溫度穩定輸出功率1.6mW單模,可以通過C-L波段具有寬譜調諧范圍:>8nm快速波長調諧(~100KHz)VCSEL激光器結構VCSEL激光的產生主要由三部分組成,即激光工作物質、泵浦源和光學諧振腔。利用泵浦源對工作物質進行激勵,形成粒子數反轉,發出激光。在通過底部和頂部反射鏡組成的諧振腔,在激光腔內放大振蕩,并從頂部反射鏡輸出,輸出的光線只集中在中間不帶有氧化層的部分輸出,形成了垂直腔面的激光發射,從而得到穩定,持續,有一定功率的高質量激光。技術參數條件:P=20°C,IO P=2.0mA,除非另有說明(P=芯片背面溫度.....

      • 筱曉光子的PL-VCSEL-1550-1-A81 1550nm VCSEL激光器是一種垂直發射MOVPE生長的GaAsP/AlGaAs單模半導體激光器。芯片為TO56封裝。波長調諧可以通過激光電流和溫度調諧來實現。內置TEC和PD。它是專為高速光纖通信而設計的。

      • UCLA電子工程系副教授本杰明·威廉姆斯帶領的團隊(包括諾斯羅普·格魯曼公司航空航天系統的工程師),借助于UCLA的納米電子研究設施,成功研發了第一個太赫茲垂直腔表面發射激光器(VCSEL)。目前可見光波長范圍內的VECSEL已經廣泛用于發射高能光束,但在太赫茲頻率范圍內則之前未有應用。

      • 太赫茲頻率范圍內的光波(處于微波和紅外線的電磁頻譜之間),可用于分析塑料、織物、半導體和藝術品,且不會損壞被檢測的材料;化學檢測和鑒定;研究行星的組成和大氣組分。研究人員說,該新裝置可作為一類新型高品質的激光器,用于空間探索,軍事和安檢等方面。

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